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研究人员已经开发出黑磷晶体管,可以将功耗降低数万倍(受益者分享)

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研究人员已经开发出黑磷晶体管,可以将功耗降低数万倍(受益者分享)

  

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科研人员研发出黑磷晶体管 功耗降低上万倍(附受益股)

 

  据报道,韩国凯思特大学物理系的研究人员开发了一种厚度可控的黑磷隧道场效应晶体管(TFET),其功耗比传统半导体(CMOS)晶体管低10倍,待机功耗低10000倍。研究小组表示,他们开发的黑磷TFET实现了创纪录的高通电流,这使得TFET能够以比传统的低功耗CMOS晶体管更高的速度运行。

  晶体管的缩小一直是信息技术成功发展的关键。然而,随着摩尔定律因功耗增加而达到极限,开发新的替代晶体管设计迫在眉睫。据业内人士介绍,黑磷晶体管运行速度更快,功耗更低,可以取代传统的CMOS晶体管。特别是,他们解决了晶体管性能和功耗之间的两难问题,为扩展摩尔定律铺平了道路。

  相关上市公司?。

  兴发集团(600141):中国最大的磷酸盐资源企业。公司控股子公司中科黑磷与中国科学院首次建立联合实验室,开展二维黑磷的大规模制备和应用。他们在芯片制造、提高贵金属的催化作用和抗肿瘤靶向治疗方面取得了进展。已经申报和正在申报的与黑磷相关的专利有15项。

  郭萱高新技术(002074):拥有制备黑磷的专利。

  成兴有限公司(600078):中国精细磷化工行业龙头企业。已获得采矿权或探矿权的磷矿资源储量超过1.26亿吨。

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